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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料														Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																													包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	晶体管应用	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)
IPB04CN10NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3.9@10V	175	表面贴装	4.57(Max)	9.45(Max)	10.31(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	100	±20	100	158@10V	158	10400@50V	300000	25	78	76	34	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
IRF1407SPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	75	±20	100	7.8@10V	160@10V		160	5600@25V	3800	140	150	150	11	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	IRF1407SPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.1	75 A				符合免除	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier			HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE	8541.29.00.95	FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	not_compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL				100 A	0.0078 Ω	520 A	75 V	N	390 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	3.8 W
BUY25CS54A01ESZZZA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30@10V	150	214	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2	,	未说明	有	BUY25CS54A01ESZZZA1	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.66								Compliant	无	无	功率MOSFET	1	250	20	54	150@10V	150	11100@100V	250000	15	35	100	40	-55				活跃	EAR99									未说明	compliant	3			Single													N
BUY25CS54A01SAMZZZA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	150	表面贴装	17.53	13.34	3	SMD-2								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	1	250	±20	4	54	100	25	30@10V		180(Max)@10V	180(Max)	14000(Max)@100V	250000	80(Max)	80(Max)	130(Max)	80(Max)				Unconfirmed												3			Single													N
BSP299L6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	4	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	Tab	SOT	SOT-223	Gull-wing	1	Compliant						Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	500	±20	0.4	4000@10V	300@25V		1800	30	15	55	8	-55	150	卷带			Obsolete			150 °C	-55 °C								4			单排双泄		1.8 W				400 mA		20 V					N				无
IPI037N06L3GXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	64	25	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	90	3.7@10V		[email protected]	10000@30V	167000	13	78	Tube			Obsolete												3			Single													N
IPB050N06NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4600@30V	300000	30	31	59	21	-55	175	表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	100		4.7@10V	126@10V	126	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPP120N06NGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14	-55	175	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	75	12@10V	46@10V		46	1600@30V	158000	26	27	34	Tube			Obsolete												3			Single													N
IPD50N06S3-07	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	1	55	±20	50	6.9@10V	110@10V		110	7800@25V	136000	73	60	45	30	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	未说明	175 °C	有	IPD50N06S3-07	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.63	TO-252	50 A					Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement				Obsolete	EAR99				ULTRA-LOW RESISTANCE	8541.29.00.95	FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	未说明	unknown	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN		N-CHANNEL		TO-252		50 A	0.0069 Ω	200 A	55 V	N	710 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	136 W
IPW65R045C7_200	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	2	45@10V	93@10V	93	4340@400V	227000	7	14	82	20	-55	150	通孔	21.1(Max)	5.21(Max)	16.13(Max)	3	Tab	TO-247	TO-247	通孔								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	650	20	4	-55 to 150	46		100	Tube			Unconfirmed												3			Single													N
BSS306NL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	2.3	57@10V	1.5@5V		207@15V	500	1.4	2.3	8.3	4.4	-55	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPP085N06LGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10	-55	175	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	80	8.5@10V	78@10V		78	2600@30V	188000	18	19	53	Tube			Obsolete												3			Single													N
IPI60R099CPAXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18 Weeks	NO	3	SILICON	105@10V	60@10V	60		2800@100V	255000	5	5	60	10	-40	150	通孔	9.45(Max)	4.5(Max)	10.2(Max)	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE	PLASTIC/EPOXY	未说明	175 °C	有	IPI60R099CPAXK	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.67	31 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	600	±20	31	Tube			Obsolete	EAR99							SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明	compliant	3	R-PSIP-T3		Single	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL		TO-262AA			0.105 Ω	93 A	600 V	N	800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF3415HR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								无	无	200000					Obsolete
AUIRFS4310ZTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	127	6@10V	120@10V	120	6860@50V	250000	57	60	55	20	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS4310ZTRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.11	120 A				符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	卷带	e3		Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE		FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		TO-263AB		120 A	0.006 Ω	560 A	100 V	N	130 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
IPP05CN10LGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	46	-55	175	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	100	±20	100	5.1@10V	163@10V		163	11700@50V	300000	37	288	62	Tube			Obsolete												3			Single													N
IRF2907ZSTRL7PP	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	21	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	6	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	75	±20	180	3.8@10V	170@10V		170	7580@25V	300000	44	90	92	卷带			Obsolete												7			单一泉源													N
IRF1312STRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	47	25	-55	175	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	80	±20	95	10@10V	93@10V		93	5450@25V	3800	51	130	卷带			Obsolete												3			Single													N
IPD144N06NGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35	29	11	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK								Compliant	EAR99	8542330001	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	50	14.4@10V		41@10V	41	1400@30V	136000	11	卷带			Obsolete												3			Single													N
IRF7901D1PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	30	±20	6.2	[email protected]@Q 1\|[email protected]@Q 2	7.6@5V@Q 1\|15.5@5V@Q 2	780@16V@Q 1\|1810@16V@Q 2		2000	8@Q 1\|5.2@Q 2	13.8@Q 1\|16.4@Q 2	14.7@Q 1\|14.6@Q 2	7.2@Q 1\|10.4@Q 2	-55	150	表面贴装				Obsolete												8			Dual													N
IRF7341ITRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	-55	150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	55	±20	4.7	50@10V	24@10V		24	740@25V	2000	13	3.2	32	8.3	卷带			Obsolete												8			双排双泄													N
IRF7343IPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	SILICON	2	55	±20	3.4@P Channel\|4.7@N Channel	105@10V@P Channel\|50@10V@N Channel	26@10V@P Channel\|24@10V@N Channel		24@N Channel\|26@P Channel	690@25V@P Channel\|740@25V@N Channel	2000	22@P Channel\|13@N Channel	10@P Channel\|3.2@N Channel	32@N Channel\|43@P Channel	8.3@N Channel\|14@P Channel	-55	150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF7343IPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	2	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.16	SOT	4.7 A					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	Tube	e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			雪崩额定		其他晶体管	DUAL	鸥翼	260	unknown	8	R-PDSO-G8	不合格	双排双泄	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL AND P-CHANNEL		MS-012AA		4.7 A	0.05 Ω	38 A	55 V	P\|N	72 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2 W
IRF7751PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	-55	150	表面贴装	1	4.4	3	8	SOP	TSSOP	Gull-wing							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	30	±20	4.5	35@10V	29@10V		29	1464@25V	1000	80	16	155	13				Obsolete												8			双双源													P
AUIRFS3006-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±20	4	293	100		20	2.1@10V	200@10V	200	8850@50V	375000	69	61	118	14	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	6	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3006-7TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.67	240 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	卷带	e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE		FET 通用电源	SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		TO-263CB		240 A	0.0021 Ω	1172 A	60 V	N	303 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	375 W
IRF7484QTRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	8	SOP	SOIC	Gull-wing							Compliant	EAR99	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	40	±8	14	10@7V	69@7V	3520@25V	2500		58	5	180	9.3	-55	150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	卷带			Obsolete												8			单四漏三源													N